シーズ技術紹介

【ナノテクノロジー・材料】 (2016/03/09公開)

ナノ接合スピントロニクスデバイスの創製

電子科学研究所
海住 英生 准教授

北海道大学研究シーズ集webサイトオープンのお知らせ

かねてより準備を進めておりました北海道大学研究シーズ集webサイトをオープンいたしました。

本研究者の研究シーズはこちらです↓↓

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/108/
ご利用者様・サイト訪問者様により使いやすく、質の良い情報を発信していけるよう、更新をしてまいります。北海道大学研究シーズ集webサイトをよろしくお願いいたします。





磁性薄膜エッジを利用した新たなナノスケール接合作製技術とその構造・電気伝導・磁気特性


我々は磁性薄膜のエッジを利用した新たなナノスケール接合作製技術を構築し、これにより、リソグラフィーを用いることなく、様々なナノスケール接合デバイスを作製することに成功しました。

研究の内容


我々は磁性薄膜のエッジを利用した新たなナノスケール接合作製手法を提案しています。

この方法では、磁性薄膜のエッジとエッジが互いに直交しているため、磁性薄膜の膜厚d によって接合面積S(= d × d)が決まります。従って、例えば、磁性薄膜の膜厚を1 〜20nm とすると、接合面積が1 × 1 〜20 × 20nm² となり、超微小ナノスケール接合の作製が可能となります。

実際に、この作製手法を用いて、様々なナノスケール接合を作製した結果、Ni/Ni ナノ接合でのオーミック挙動、Ni/NiO/Ni ナノ接合でのナノスケールトンネル現象、Ni/P3HT:PCBM/Niナノ接合での分子内バリスティック伝導等の観測に成功してきました。

本デバイスでは今後も更なる新現象の発現が期待できます。
これにより、次世代のスイッチングデバイスやBeyond CMOS デバイスの創製を目指します。

応用例


  • 記録再生用不揮発性メモリ
  • スイッチング素子
  • 集積化チップ等PC 関連デバイス
  • 再生用磁気ヘッド・高感度磁気センサ
  • 太陽電池の透明電極


産業界へのアピールポイント


本技術により様々なナノスケール接合デバイスの作製が可能になっています。しかしながら、実用化には高集積化技術を構築する必要があります。これに関しては産学連携で推進していきたいと考えています。

本研究に関する知的財産



  • PCT/JP2008/065924 「 ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法」
     (日本:特許第5578527 号 米国:特許第8,795,856 号)

  • 特許第5773491 号 「ナノ接合素子およびその製造方法」

研究室ホームページ


電子科学研究所 光電子ナノ材料研究分野
http://nanostructure.es.hokudai.ac.jp/




※お問い合わせは 北海道大学 産学・地域協働推進機構ワンストップ窓口まで

Update 2018-04-17
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