シーズ技術紹介

【ナノテクノロジー・材料】 (2016/03/09公開)

低消費電力型トンネルトランジスタ

大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
冨岡 克広 助教

北海道大学研究シーズ集webサイトオープンのお知らせ

かねてより準備を進めておりました北海道大学研究シーズ集webサイトをオープンいたしました。

本研究者の研究シーズはこちらです↓↓

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/215/
ご利用者様・サイト訪問者様により使いやすく、質の良い情報を発信していけるよう、更新をしてまいります。北海道大学研究シーズ集webサイトをよろしくお願いいたします。





新しい半導体界面で次世代省エネ素子実現へ


本研究では、髪の毛の数千分の1 の大きさの非常に小さなナノワイヤで形成される、新しい半導体固相界面をスイッチ素子に応用することで、これまでにない低消費電力型FET・トンネルFET を提案・実現しました。

研究の内容


スマートフォンやパソコンの頭脳となるマイクロプロセッサ・半導体集積回路は、基本素子となる電界効果トランジスタ(FET)を小さくし、現在では、およそ20-30億個のFETを敷き詰めることで、高性能化を実現しています。

高性能化の一方で、このFETの消費電力の急増が深刻な問題となっています。これは、FETのスイッチング性能(サブスレッショルド係数)に物理的な限界(60 mV/桁)があるためです。
今後、抜本的な省エネルギー化を実現するためには、FETの物理限界を突破できる新しいスイッチ素子とその実用化が必要です。

本研究では、これまでにない低消費電力型トンネルFETを提案・実現しました。

応用例


  • 低消費電力型集積回路の実現
  • 低電圧回路用スイッチ素子
  • センサーデバイス
  • ヘルスケアデバイス


産業界へのアピールポイント


本研究室では、MOVPE選択成長法による半導体ナノワイヤの集積技術を確立し、広い分野で、新しい素子応用を展開しています。本研究の低電圧トランジスタ応用だけでなく、半導体ナノワイヤの作製技術など、ものづくりの基礎から共同研究を展開することができます。

本研究に関連する知的財産


特許第5652827号:「トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法」

研究室ホームページ


大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 
集積ナノシステム研究室
http://impulse.ist.hokudai.ac.jp/



※お問い合わせは 北海道大学 産学・地域協働推進機構ワンストップ窓口まで

Update 2018-04-17
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